次世代3D NANDメモリのプロセス開発エンジニア
KIOXIA Corporation
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¥5,500,000 - 12,600,000
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Mie
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Under 10
Job Summary
【採用背景】 AI需要と情報爆発を背景に、キオクシアの3次元フラッシュメモリには、記憶密度と信頼性の更なる向上が求められています。 次世代デバイスの性能とコスト競争力は、まさにこの開発部門が生み出す新規プロセス技術にかかっています。この最先端の技術課題を乗り越えるには、従来の知見に加え、多種多様な考え方や新しい視点が不可欠です。このため、半導体の経験はなくとも、理工系の確かな基礎知識と、課題解決に喜びを感じる探求心を持つポテンシャル人材と、実務経験豊富なプロフェッショナルの双方を迎え入れ、次世代技術開発の体制を強化します。 【組織のミッション】 配属先予定となる部門は、次世代半導体デバイスに必要な新規プロセス技術の開発を担う、高い専門性を持った技術者集団です。メモリ製品はコスト競争力も重要であり、私たちのミッションは、高性能なプロセスはもちろんのこと、コストを意識して生産性の高いプロセス（材料使用量の削減など）を構築することにあります。開発は数世代分にわたって実施され、Seeds技術の発掘から量産に耐えうる技術確立まで、事業戦略の根幹を担います。 【お任せする業務】 次世代3Dフラッシュメモリへ適用する新規の製造プロセス技術の開発を、経験に応じて主担当またはメンターのもとで推進いただきます。 (ここで扱う製造プロセスは、「ユニットプロセス」と呼ばれ、具体的にはパターンを形成するリソグラフィー、膜を削るドライエッチング、膜付けを行うCVDなど、半導体を作るための個別の工程単位を指します。)Company Info
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