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先端半導体前工程プロセスの研究開発

KIOXIA Corporation

  • Salary ⁨¥⁩⁨5,500,000⁩ - ⁨12,600,000⁩
  • Work Location Mie
  • Company employee count Under 10

Job Summary

【採用背景】 人工知能(A.I.)の性能向上に伴い、A.I.は日常生活に無くてはならないツールとなっています。将来的には更なる性能向上と活用される分野が増大することが予想されています。A.I.の活用による計計算量の飛躍的な増大とそれに伴うデータセンターなどで使用する電力の消費が社会問題になりつつあります。 キオクシアでは高性能かつ消費電力を削減可能なメモリであるOCTRAM(Oxide Channel Transistor RAM)を開発しています。まだ研究開発段階ではありますが完成度を早期に上げ、製品化をしたいと考えています。OCTRAMの製造プロセスを開発して頂ける方を募集しています。製品化のための研究開発により社会問題の解決を一緒にしませんか。 【組織のミッション】 優れた特性を持つ材料やプロセスを300mmウェハ上で検証し、新デバイス開発に活用することがミッションとなります。デバイス開発を通じて新デバイスの特性や製造容易性を確認することで量産可能性を検証し、次のビジネスの柱を築くことになります。 【お任せする業務】 OCTRAMを始めとした先端デバイスを製造するための新プロセス開発に従事してもらう予定です。具体的にはデバイス形状を造るリソグラフィ、ドライ加工、ウェット、CMPなどのプロセス、及びデバイス特性を司る絶縁膜成膜、導電体成膜などのプロセスが対象となります。 【具体的な仕事内容】 先端デバイスを開発するためにデバイスグループやインテグレーショングループと連携して業務を行います。300mmウェハでのデバイス・ロットを流すためにプロセス条件出しや環境整備を行います。工程で課題のあるプロセスについては課題の要因を抽出、解決するための物理モデル構築、それらのモデルを検証するために物理分析や化学分析を活用します。課題の要因が理解できたところで、対策プロセスを立案し、その結果を確認していきます。また、先端デバイスでは既存の装置では実現できない新規のプロセスが必要となります。新プロセスを実現するために装置メーカーとの共同開発、新規設備の導入をすることもあります。

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