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AIのような計算量やデータアクセスの多いワークロードを並列計算やGPUなどで加速するためのミドルウエア技術の研究開発を行います。

当社は「新しいものづくりの力で、持続可能な世界をつくる」をミッションとして、独自のナノマテリアル技術を用いて、半導体・エレクトロニクス分野のイノベーションを推進しています。 直近では、AIサーバ基板の高性能化に直結する高アスペクトマイクロビア導電化ソリューション「DeepVia™ HDI」（2026年4月発表）を開発し、従来の化学銅めっきの限界を超える高アスペクト比（AR3以上）のビア形成に成功しました。これは、当社のコア技術である「銅ナノ粒子インク」と「インクジェット印刷技術」を融合させた画期的なプロセスです。 さらに半導体パッケージ領域では、次世代AI/HPC向けガラス基板貫通ビア（TGV）フィル用銅ナノペースト「SAphire™ G」（2026年4月発表）や、パワー半導体の熱問題を解決する無加圧低温接合対応の「SAphire™ D02」（2026年5月発表）の開発にも相次いで成功し、世界的な大手メーカーとの共同評価が急速に拡大しています。 これらペースト材料の量産化への取り組みはもちろん、インクジェット印刷に最適化された導電性インクの開発も引き続き重要な柱として継続・強化しています。持続可能な世界の実現と、AIコンピューティングの進化という2つの大きな大義を材料開発の側面から力強く牽引していただける、中核メンバーを募集します。 ご経験やスキル、適性に応じて、銅ナノペーストおよびインクジェットインクの材料開発業務を裁量を持って担当いただきます。

大規模言語モデル（LLM）の開発に特化したエンジニアとして、クライアントと連携しながら高度な言語モデル技術の研究開発を行います。具体的には、7B規模以上のLLMのFine-tuningおよびPre-training、大規模コーパスからのトレーニングデータ作成、業務特化型の小規模言語モデル（SLM）の開発を担当します。複数のGPUを活用した高度な機械学習モデルの構築、Embedding ModelやRerankingModelの開発も重要な業務となります。実際の使用シーンを意識したモデル開発を行い、複数部門からのフィードバックを得ながら、組織に大きなインパクトを与える革新的なAIソリューションの創出に貢献します。