パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア
株式会社東芝
- IGBT
- MOSFET
- 半導体
- Research
- パワーデバイス
- 製造ライン
- クリーンルーム
- 研究
- ウエハー
- Power device
募集するポジションでは、MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセスの開発を担当します。各工程毎にチーム編成して専門家集団を形成し、リーダーシップを発揮して開発を牽引します。半導体のユニットプロセス技術経験者や半導体関連メーカでの知見を持つ方を求めています。
- ¥450万 〜 1000万
- 石川県
- 1,001名〜10,000名