パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア
株式会社東芝
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- 半導体に関連する研究
- 半導体関連メーカ
- ユニットプロセス技術
- Siパワー半導体
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- 300mmウエハー
- ウェットエッチング
- ドライエッチング
- リソグラフィ
- 成膜プロセス
-
¥450万 〜 1000万
-
石川県
-
1,001名〜10,000名
■会社情報
東芝グループは、CPS(※1)テクノロジーを駆使したインフラサービスの実現に向けて注力しており、ソフトウェア技術センターではその中核たる東芝グループ内のソフトウェアを⾼品質かつ効率的に開発する⼿法の研究開発に取り組んでいます。マイクロサービスアーキテクチャなどサービスに適したアーキテクチャでのソフトウェア設計や、仮想化技術を⽤いた柔軟な構成の実現など、最新のソフトウェア開発技術を駆使した高品質かつ効率的なソフトウェア開発やサービス開発、またその開発技術の研究開発を⾏いつつ、開発⼿法を東芝グループ内に普及・展開する役割を担うメンバを募集します。■仕事内容
募集するポジションでは、MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセスの開発を担当します。各工程毎にチーム編成して専門家集団を形成し、リーダーシップを発揮して開発を牽引します。半導体のユニットプロセス技術経験者や半導体関連メーカでの知見を持つ方を求めています。■募集概要
Siパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発を進め、各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成し、リーダーシップを発揮して開発を牽引します。また、新製造ラインの構築や新規プロセス・装置の開発に携わり、半導体のユニットプロセス技術経験や半導体装置メーカ、半導体材料メーカ等での知見を活かして業務に従事します。すべての情報を見るには
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