先端パワー半導体デバイスの研究開発エンジニア
株式会社東芝
- 研究開発
- プロセス開発
- Research and Development
- Process Development
- GAN
- Cutting-edge technology
- Evaluation
- 評価
- 半導体デバイス
- MOSFET
- 電源
- プロセス
- 半導体プロセス
- クリーンルーム
- Power Supply
- 量子暗号通信
- 評価・解析
- Power semiconductor
- Electric field
- N-channel power MOSFET
- Power semiconductor process
- GaN power device
- Experiment preparation
- Charge particle communication
- Next-generation Si device
- TCAD analysis
- Process evaluation
- Proton irradiation
- Silicon
- Hybrid semiconductor
- IEEE ISPSD 2022
- 電力密度
- プロトン照射
- trench field plate power MOSFETs
- Access-region Carrier Enhancement technique
- ISPSD 2022
- GaNパワーデバイス
- NチャネルパワーMOSFET
- 計算解析
- 実験設備
- 次世代Siデバイス
- TCAD解析
- シリコン
- 化合物半導体
-
¥600万 〜 1000万
-
神奈川県
-
1,001名〜10,000名
■会社情報
東芝グループは、CPS(※1)テクノロジーを駆使したインフラサービスの実現に向けて注力しており、ソフトウェア技術センターではその中核たる東芝グループ内のソフトウェアを⾼品質かつ効率的に開発する⼿法の研究開発に取り組んでいます。マイクロサービスアーキテクチャなどサービスに適したアーキテクチャでのソフトウェア設計や、仮想化技術を⽤いた柔軟な構成の実現など、最新のソフトウェア開発技術を駆使した高品質かつ効率的なソフトウェア開発やサービス開発、またその開発技術の研究開発を⾏いつつ、開発⼿法を東芝グループ内に普及・展開する役割を担うメンバを募集します。■仕事内容
研究開発センターでは、先端パワー半導体デバイスの設計、プロセス開発、評価・解析等の業務を行います。また、最先端の半導体プロセス開発、デバイス試作が行えるクリーンルームや実験設備、各種評価、計算解析等の実験環境が整備されており、自らのアイディアをベースに最先端技術を創出するやりがいのある業務です。■募集概要
研究開発センターにおいて、化合物半導体や次世代シリコンの先端パワー半導体デバイスの設計、プロセス開発、評価・解析等の業務を遂行します。具体的には、先端パワー半導体デバイスの設計に関する研究開発業務を行い、TCAD解析を用いたデバイス設計、半導体プロセスの開発、デバイス評価・解析などを担当します。また、最先端の半導体プロセス開発、デバイス試作が行えるクリーンルームや実験設備、各種評価、計算解析等の実験環境を活用し、新しい技術の創出に取り組みます。すべての情報を見るには
ユーザー登録が必要です。
LabBase転職に登録すると...
- すべての求人が見放題
- 最先端求人リストの新着求人をメールでお知らせ
- 企業から面接やカジュアル面談のスカウトが届く
新規登録は簡単2分で登録完了します。