SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
株式会社ミライズ テクノロジーズ
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¥550万 〜 1100万
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愛知県
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101名〜1,000名
仕事内容
株式会社ミライズテクノロジーズにおけるSiC、GaNパワー半導体の研究開発ポジションです。 SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT)のデバイスおよびプロセスに関する研究開発、SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発に携わります。 パワーデバイスの企画、技術動向調査、デバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計、プロセスシミュレーション設計、プロセス要素技術開発、プロセスインテグレーション、工程設計、試作品のテスト、分析、評価解析、ウェハ技術開発、加工装置の導入および改造を担当します。会社情報
トヨタ自動車株式会社と株式会社デンソーが共同出資して2020年に設立した、次世代の車載半導体の研究・先行開発および半導体を用いた電子部品の開発を行う企業です。モビリティ社会の進化を支える半導体エレクトロニクス技術の革新を目指しています。ユーザー登録で
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